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コンピュータをはじめとする現在の電子機器は半導体を用いた回路素子、つまり半導体デバイス（半導体素子）なしでは存在できません。
そのために電子機器の動作の理解や設計のためには、半導体デバイスの基本的動作を理解することが必要です。
このテキストは電子工学に関する分野を学ぼうとしている学生を対象に、高度な物理学や数学の知識を用いずに、半導体デバイスに関する基礎知識を説明することを目的に書かれています。
まえがき
第1章 半導体の性質 ー基礎編ー
1.1 抵抗率と導電率
1.2 半導体の分類
1.3 共有結合とキャリヤ
1.4 エネルギー帯
1.5 真性半導体と不純物半導体
1.6 導電率とキャリア密度
1.7 フェルミエネルギー
章末問題
第2章 ダイオード
2.1 pn接合ダイオードの基本
2.2 空乏層と拡散電位
2.3 pn接合と電圧電圧電流特性
2.4 過剰キャリアと拡散電流
2.5 接合容量と可変容量ダイオード
2.6 降伏現象と定電圧ダイオード
章末問題
第3章 バイポーラトランジスタ
3.1 バイポーラトランジスタの構造
3.2 バイポーラトランジスタの動作原理
3.3 バイポーラトランジスタの電圧電流特性
3.4 バイポーラトランジスタの小信号動作
3.5 バイポーラトランジスタの小信号等価回路
3.6 バイポーラトランジスタの電流増幅率の周波数特性
3.7 バイポーラトランジスタの高周波等価回路
3.8 バイポーラトランジスタの大振幅動作
章末問題
第4章 電界効果トランジスタ
4.1 MOS形電界効果トランジスタの構造と動作原理
4.2 MIS構造の動作
4.3 MOSFETの電圧電流特性
4.4 エンハンスメント形FETとデプレション形FET
4.5 MOSFETの小信号動作と大振幅動作
4.6 MOSFETの小信号等価回路
4.7 短チャネル効果
4.8 接合形電界効果トランジスタ
4.9 ショットキー障壁形電界効果トランジスタ
章末問題
第5章 半導体集積回路
5.1 集積回路の分類
5.2 集積回路作製技術
5.3 バイポーラ集積回路
5.4 MOS集積回路
章末問題
第6章 光素子
6.1 受光素子
6.2 発光素子
章末問題
第7章 半導体メモリ
7.1 半導体メモリの分類と構成
7.2 SRAM
7.3 DRAM
7.4 マスクROM
7.5 EPROM
7.6 FEROM
7.7 フラッシュメモリ
章末問題
第8章 その他の半導体デバイス
8.1 電界効果素子
8.2 マイクロ波用半導体デバイス
8.3 電力用半導体デバイス
章末問題
第9章 半導体の性質 ー発展編ー
9.1 ホール効果
9.2 半導体中のキャリヤ密度
9.3 フェルミエネルギーと拡散電位
9.4 キャリヤ密度の温度依存性
9.5 固体中の電子の運動方程式
9.6 キャリヤの拡散方程式
章末問題
付録
A 各種定数
B 物理公式
C 偏微分
D 半導体デバイスの型名
E 半導体デバイスの最大定格
F JIS規格外の図記号
G エネルギー帯の形成
H 空乏層幅の導出
I 再結合によるキャリヤの平均寿命の導出
K ベース接地電流増幅率の導出
L アーリー電圧の導出
M Ebers-Mollモデル
N 小信号動作の微分パラメータ
O T形等価回路とhパラメータ
P ベース接地電流増幅率の周波数特性
Q ベース走行時間の導出
R エミッタ接地電流増幅率の周波数特性
S 拡散容量の導出
T 真性トランジスタの等価回路
U MOSFETのゲート・ソース間の容量の導出
V JFETの電圧電流特性導出
W バイポーラトランジスタの電流増幅率の電流依存性
X バイポーラトランジスタとFETの比較
Y 半導体デバイスの特性の実測例
Z 章末問題略解
参考文献
索引
